2SA812-G, 100nA 50V 200mW 200@1mA,6V 100mA 180MHz 300mV@100mA,10mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
250 шт., срок 7 недель
4 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
50V 200mW 200@1mA,6V 100mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@1mA, 6V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 180MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet 2SA812-G
pdf, 621 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
