2SD667A-C, 10uA 100V 900mW 100@150mA,5V 1A 140MHz 1V@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) TO-92LM Bipolar Transistors - BJT
3175 шт., срок 7 недель
27 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
17 руб.
от 150 шт. —
14 руб.
от 500 шт. —
11.72 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 135 руб.
Описание
100V 900mW 100@150mA,5V 1A NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 10uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 100V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 900mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 140MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 100V |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Pd - Power Dissipation | 900mW |
| Вес, г | 0.18 |
Техническая документация
Datasheet 2SD667A-C
pdf, 897 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
