9012-H, 100nA 20V 625mW 144@50mA,1V 500mA 180mV@500mA,50mA PNP +150-@(Tj) TO-92 Bipolar Transistors - BJT
3960 шт., срок 7 недель
21 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
15 руб.
от 600 шт. —
14 руб.
от 3000 шт. —
12.08 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
20V 625mW 144@50mA,1V 500mA PNP TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 64@50mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 625mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 150MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 20V |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Pd - Power Dissipation | 625mW |
| Вес, г | 2.29 |
Техническая документация
Datasheet 9012-H
pdf, 1065 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
