BSS84_R1_00001, 50V 130mA 200mW 10-@5V,100mA 2V@1mA P Channel SOT-23 MOSFETs
9330 шт., срок 7 недель
14 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
8 руб.
от 300 шт. —
6.60 руб.
от 3000 шт. —
5.35 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
50V 130mA 200mW 10Ω@5V,100mA 2V@1mA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 130mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 10Ω@5V, 100mA |
Drain Source Voltage (Vdss) | 50V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@1mA |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Type | P Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 130mA(Tj) |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 200mW(Tj) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 10Ω 100mA, 5V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2V 1mA |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet BSS84_R1_00001
pdf, 139 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.