BSS84_R1_00001, 50V 130mA 200mW 10-@5V,100mA 2V@1mA P Channel SOT-23 MOSFETs

9330 шт., срок 7 недель
14 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.8 руб.
от 300 шт.6.60 руб.
от 3000 шт.5.35 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 140 руб.
Номенклатурный номер: 8015879501
Артикул: BSS84_R1_00001

Описание

50V 130mA 200mW 10Ω@5V,100mA 2V@1mA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 130mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@5V, 100mA
Drain Source Voltage (Vdss) 50V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2V@1mA
Power Dissipation (Pd) 200mW
Type P Channel
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 130mA(Tj)
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 200mW(Tj)
Rds On - Drain-Source Resistance 10Ω 100mA, 5V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 50V
Vgs - Gate-Source Voltage 2V 1mA
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet BSS84_R1_00001
pdf, 139 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.