Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Diodes › BSS138W-7-F, SOT-323

BSS138W-7-F, SOT-323

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

38 руб.

от 100 шт. — 14 руб.

от 400 шт. — 12 руб.

от 700 шт. — 10.25 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 38 руб.

Посмотреть аналоги11

Номенклатурный номер: 8024956562

Артикул: BSS138W-7-F

Бренд: DIODES INC.

Описание

транзисторы полевые импортные

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 50В, 0,2А, 0,2Вт, SOT323 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Корпус	sot-323
EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Product Category	Small Signal
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	50
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Continuous Drain Current (A)	0.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	3500@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	50(Max)@10V
Maximum Power Dissipation (mW)	200
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	20(Max)
Typical Turn-On Delay Time (ns)	20(Max)
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tape and Reel
Supplier Temperature Grade	Automotive
Automotive	No
Standard Package Name	SOT
Pin Count	3
Supplier Package	SOT-323
Military	No
Mounting	Surface Mount
Package Height	0.95
Package Length	2.15
Package Width	1.3
PCB changed	3
Lead Shape	Gull-wing
Id - непрерывный ток утечки	200 mA
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	50 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	500 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	100 mS
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BSS138
Технология	Si
Тип	Enhancement Mode Field Effect Transistor
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	20 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-323-3
Ширина	1.35 mm
Base Product Number	BSS138 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
HTSUS	8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SC-70, SOT-323
Power Dissipation (Max)	200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5Ohm @ 220mA, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-323
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250ВµA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	200mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	200mW
Rds On - Drain-Source Resistance	3.5О© @ 220mA,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	50V
Vgs - Gate-Source Voltage	1.5V @ 250uA
Maximum Continuous Drain Current	200 mA
Maximum Drain Source Resistance	3.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	50 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	200 mW
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	SOT-323
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Width	1.35mm