KC5344SCY, 100nA 35V 350mW 800mA 120MHz 500mV@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
1840 шт., срок 7 недель
5 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
4 руб.
от 600 шт. —
2.40 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 100 руб.
Описание
35V 350mW 800mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 800mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 35V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA, 50mA |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 120MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 35V |
| Maximum DC Collector Current | 800mA |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet KC5344SCY
pdf, 543 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
