2N5551-B, 100nA 160V 625mW 100@10mA,5V 600mA 110MHz 150mV@10mA,1mA NPN +150-@(Tj) TO-92 Bipolar Transistors - BJT
2300 шт., срок 7 недель
9 руб.
8 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
от 600 шт. —
4.30 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
160V 625mW 100@10mA,5V 600mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@10mA, 1mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 625mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 110MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 625mW |
| Вес, г | 0.29 |
Техническая документация
Datasheet 2N5551-B
pdf, 759 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
