S8050-D, 100nA 25V 625mW 160@100mA,1V 800mA 190MHz 280mV@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) TO-92 Bipolar Transistors - BJT

1300 шт., срок 7 недель
19 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.14 руб.
от 1000 шт.13 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 380 руб.
Номенклатурный номер: 8015792073
Артикул: S8050-D

Описание

25V 625mW 160@100mA,1V 800mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 1.5A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 25V
Power Dissipation (Pd) 625mW
Transistor Type NPN
Collector-Emitter Breakdown Voltage 25V
Maximum DC Collector Current 800mA
Pd - Power Dissipation 625mW
Вес, г 2.29

Техническая документация

Datasheet S8050-D
pdf, 885 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.