NGTB40N120IHRWG
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003556400
Производитель: ON Semiconductor
|
481 руб.
|
29 шт., срок 5-6 недель |
|
|
от 25 шт. —
436 руб.
|
||
| Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
|---|---|---|---|---|
| 560 руб. | 7 дней, 112 шт. | 1 шт. | 1 шт. | |
|
от 2 шт. — 410 руб.
от 5 шт. — 376 руб.
|
||||
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Описание
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
Технические параметры
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Length | 16.25мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Brand | ON Semiconductor |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Package Type | TO-247 |
| Maximum Power Dissipation | 384 W |
| Mounting Type | Монтаж на плату в отверстия |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Width | 5.3мм |
| Height | 21.4mm |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions | 16.25 x 5.3 x 21.4mm |
| Switching Speed | 1МГц |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Channel Type | N |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
