NGTB40N120IHRWG

NGTB40N120IHRWG
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003556400
Производитель: ON Semiconductor
481 руб.
29 шт.,
срок 5-6 недель
от 25 шт. — 436 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
560 руб. 7 дней, 112 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 410 руб.
от 5 шт. — 376 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +175 °C
Length 16.25мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 80 A
Package Type TO-247
Maximum Power Dissipation 384 W
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -40 °C
Width 5.3мм
Height 21.4mm
Pin Count 3
Dimensions 16.25 x 5.3 x 21.4mm
Switching Speed 1МГц
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Channel Type N

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.