SI5935CDC-T1-GE3

Фото 2/2 SI5935CDC-T1-GE3
Фото 1/2 SI5935CDC-T1-GE3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003556694
Производитель: Vishay
103 руб.
26 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 10 шт. — 101 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
47 руб. 7 дней, 2020 шт. 20 шт. 20 шт.
25 руб. 2-4 недели, 3000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 3,8 A
Тип корпуса 1206 ChipFET
Максимальное рассеяние мощности 3,1 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 1.7мм
Высота 1.1мм
Размеры 3.1 x 1.7 x 1.1мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 2
Длина 3.1мм
Transistor Configuration Изолированный
Типичное время задержки включения 10 нс
Производитель Vishay
Типичное время задержки выключения 25 ns
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 0.4V
Максимальное сопротивление сток-исток 156 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 20 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 7 nC @ 5 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 455 пФ при -10 В
Тип канала A, P
Максимальное напряжение затвор-исток -8 В, +8 В

Дополнительная информация

Datasheet SI5935CDC-T1-GE3

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.