SI5935CDC-T1-GE3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003556694
Производитель: Vishay
|
103 руб.
|
26 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели |
|
|
от 10 шт. —
101 руб.
|
||
| Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
|---|---|---|---|---|
| 47 руб. | 7 дней, 2020 шт. | 20 шт. | 20 шт. | |
| 25 руб. | 2-4 недели, 3000 шт. | 3000 шт. | 3000 шт. | |
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 3,8 A |
| Тип корпуса | 1206 ChipFET |
| Максимальное рассеяние мощности | 3,1 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 1.7мм |
| Высота | 1.1мм |
| Размеры | 3.1 x 1.7 x 1.1мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 3.1мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 10 нс |
| Производитель | Vishay |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 156 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 7 nC @ 5 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 455 пФ при -10 В |
| Тип канала | A, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -8 В, +8 В |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
