2SA1015M, 100nA 50V 300mW 70@2mA,6V 150mA 80MHz 300mV@100mA,10mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
5250 шт., срок 7 недель
5 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
от 3000 шт. —
2.30 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 250 руб.
Описание
50V 300mW 70@2mA,6V 150mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 70@2mA, 6V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 80MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 150mA |
| Pd - Power Dissipation | 300mW |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet 2SA1015M
pdf, 906 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
