FQPF19N20C
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003557951
Производитель: ON Semiconductor
|
122 руб.
|
394 шт., срок 5-6 недель |
|
|
от 10 шт. —
118 руб.
|
||
| Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
|---|---|---|---|---|
| 170 руб. | 7 дней, 175 шт. | 5 шт. | 5 шт. | |
|
от 25 шт. — 140 руб.
от 100 шт. — 100 руб.
|
||||
| 174 руб. | 3-5 недель, 4 шт. | 1 шт. | 1 шт. | |
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Описание
QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.
Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 19 А |
| Тип корпуса | TO-220F |
| Максимальное рассеяние мощности | 43 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.7 |
| Высота | 9.19мм |
| Размеры | 10.16 x 4.7 x 9.19мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.16мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 15 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 135 ns |
| Серия | QFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 170 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 200 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 40,5 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 830 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Длина | 10.16мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Brand | ON Semiconductor |
| Maximum Continuous Drain Current | 19 A |
| Package Type | TO-220F |
| Maximum Power Dissipation | 43 W |
| Series | QFET |
| Mounting Type | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Width | 4.7мм |
| Height | 9.19mm |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 170 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 В |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40.5 nC @ 10 V |
| Материал транзистора | Кремний |
| Номер канала | Поднятие |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 В, +30 В |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
