FQPF19N20C

FQPF19N20C
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003557951
Производитель: ON Semiconductor
122 руб.
394 шт.,
срок 5-6 недель
от 10 шт. — 118 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
170 руб. 7 дней, 175 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 140 руб.
от 100 шт. — 100 руб.
174 руб. 3-5 недель, 4 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 19 А
Тип корпуса TO-220F
Максимальное рассеяние мощности 43 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.7
Высота 9.19мм
Размеры 10.16 x 4.7 x 9.19мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.16мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 15 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 135 ns
Серия QFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 170 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 200 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 40,5 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 830 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Длина 10.16мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current 19 A
Package Type TO-220F
Maximum Power Dissipation 43 W
Series QFET
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Width 4.7мм
Height 9.19mm
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 170 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 200 В
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 40.5 nC @ 10 V
Материал транзистора Кремний
Номер канала Поднятие
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -30 В, +30 В

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.