RQ6E035ATTCR, Dual P-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V, 6-Pin TSMT-6 RQ6E035ATTCR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 шт., срок 7 недель
51 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 300 шт. —
34 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 2 550 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Low on-resistance Small Surface Mount Package(TSMT6) Pb-free lead plating, RoHS compliant
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | TSMT-6 |
Pin Count | 6 |
Typical Gate Charge @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
Width | 1.8mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.