MJD122T4G

Фото 2/6 MJD122T4GФото 3/6 MJD122T4GФото 4/6 MJD122T4GФото 5/6 MJD122T4GФото 6/6 MJD122T4G
Фото 1/6 MJD122T4G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
33274 шт., срок 5-6 недель
79 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.62 руб.
от 30 шт.58 руб.
от 100 шт.54.90 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 158 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Посмотреть аналоги3
Номенклатурный номер: 8003558694
Производитель: ON Semiconductor

Описание

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 4 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 4,5 В
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 100 В
Максимальный запирающий ток коллектора 0.01mA
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 100 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 8 A
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 6.22мм
Тип транзистора NPN
Высота 2.38мм
Число контактов 3
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.38мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 100
Pd - рассеивание мощности 20 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 2.38 mm
Длина 6.73 mm
Категория продукта Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 8 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 2500
Серия MJD122
Тип продукта Darlington Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK)
Ширина 6.22 mm
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum DC Current Gain 12000@4A@4V
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 100
Typical Transition Frequency (MHz) 4(Min)
Maximum Collector Base Voltage (V) 100
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 4.5@80mA@8A
Maximum Continuous DC Collector Current (A) 8
Maximum Base Current (A) 0.12
Operating Junction Temperature (°C) -65 to 150
Maximum Collector Cut-Off Current (uA) 10
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 2@16mA@4A|4@80mA@8A
Typical Current Gain Bandwidth (MHz) 4(Min)
Minimum DC Current Gain 100@8A@4V|1000@4A@4V
Maximum Power Dissipation (mW) 1750
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Minimum DC Current Gain Range <500|500 to 3600
Automotive No
Standard Package Name TO-252
Pin Count 3
Supplier Package DPAK
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 2.38(Max)
Package Length 6.73(Max)
Package Width 6.22(Max)
PCB changed 2
Tab Tab
Lead Shape Gull-wing

Дополнительная информация

Datasheet MJD122T4G
Datasheet MJD122T4G
Datasheet MJD122T4G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах