MMBTA44G-AE3-R, 100nA 400V 1.5W 50@10mA,10V 300mA 50MHz 750mV@50mA,5mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
1980 шт., срок 7 недель
21 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
13 руб.
от 300 шт. —
11 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 210 руб.
Описание
400V 1.5W 50@10mA,10V 300mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 300mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 400V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 750mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 50@10mA, 10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 50MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 400V |
| Maximum DC Collector Current | 300mA |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet MMBTA44G-AE3-R
pdf, 215 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
