BSC160N10NS3GATMA1

Фото 2/2 BSC160N10NS3GATMA1
Фото 1/2 BSC160N10NS3GATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003563029
Производитель: Infineon Technologies
133 руб.
39 шт.,
срок 5-6 недель
от 10 шт. — 100 руб.
от 30 шт. — 93.90 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
96 руб. 7 дней, 1240 шт. 10 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 65 руб.
160 руб. 2-4 недели, 5227 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 124 руб.
от 100 шт. — 85 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 42 А
Тип корпуса TDSON
Максимальное рассеяние мощности 60 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.35мм
Высота 1.1мм
Размеры 5.35 x 6.35 x 1.1мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 5.35мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 13 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 22 ns
Серия OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 33 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 19 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1300 пФ при 50 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В

Дополнительная информация

Datasheet BSC160N10NS3GATMA1

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.