BSC160N10NS3GATMA1


* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003563029
Производитель: Infineon Technologies
133 руб.
|
39 шт., срок 5-6 недель |
|
от 10 шт. —
100 руб.
от 30 шт. —
93.90 руб.
|
Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
---|---|---|---|---|
96 руб. | 7 дней, 1240 шт. | 10 шт. | 10 шт. | |
от 100 шт. — 65 руб.
|
||||
160 руб. | 2-4 недели, 5227 шт. | 1 шт. | 1 шт. | |
от 10 шт. — 124 руб.
от 100 шт. — 85 руб.
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Описание
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
Технические параметры
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 42 А |
Тип корпуса | TDSON |
Максимальное рассеяние мощности | 60 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 6.35мм |
Высота | 1.1мм |
Размеры | 5.35 x 6.35 x 1.1мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 5.35мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 13 ns |
Производитель | Infineon |
Типичное время задержки выключения | 22 ns |
Серия | OptiMOS 3 |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 33 mΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
Число контактов | 8 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 19 nC @ 10 V |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 1300 пФ при 50 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.