SI1012X-T1-GE3

SI1012X-T1-GE3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003564310
Производитель: Vishay
48 руб.
1573 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 10 шт. — 36 руб.
от 30 шт. — 33.60 руб.
от 100 шт. — 31.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
18 руб. 3-4 недели, 3000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
120 руб. 3-4 недели, 3 шт. 1 шт. 2 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status NRND
HTS 8541.29.00.95
Product Category Power MOSFET
Process Technology TrenchFET
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 20
Maximum Gate Source Voltage (V) ±6
Maximum Continuous Drain Current (A) 0.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 700@4.5V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 750@4.5V
Maximum Power Dissipation (mW) 280
Typical Fall Time (ns) 11
Typical Rise Time (ns) 5
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 25
Typical Turn-On Delay Time (ns) 5
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package SC-89
Standard Package Name SC
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.8(Max)
Package Length 1.7(Max)
Package Width 0.95(Max)
PCB changed 3

Дополнительная информация

Datasheet SI1012X-T1-GE3

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.