FDP8880

FDP8880
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003571089
Производитель: ON Semiconductor
117 руб.
927 шт.,
срок 5-6 недель
от 10 шт. — 85 руб.
от 30 шт. — 78.60 руб.
от 100 шт. — 72.90 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
97 руб. 7 дней, 3300 шт. 50 шт. 50 шт.
58 руб. 3-4 недели, 900 шт. 1 шт. 135 шт.
130 руб. 7 дней, 150 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 110 руб.
от 50 шт. — 101 руб.
от 125 шт. — 92.96 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 11 A
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 55 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.83мм
Высота 9.65мм
Размеры 10.67 x 4.83 x 9.65мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.67мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 8 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 47 ns
Серия PowerTrench
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 1.2V
Максимальное сопротивление сток-исток 12 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 22 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1240 пФ при 15 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура +175 °C
Number of Elements per Chip 1
Длина 10.67mm
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current 11 A
Тип корпуса TO-220AB
Maximum Power Dissipation 55 W
Series PowerTrench
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 4.83mm
Минимальное пороговое напряжение включения 1.2V
Высота 9.65мм
Maximum Drain Source Resistance 12 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 В
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 22 нКл при 10 В
Материал транзистора Кремний
Номер канала Поднятие
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 В, +20 В

Дополнительная информация

Datasheet FDP8880

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.