BCX52TA, Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

BCX52TA, Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
100 руб.
Мин. кол-во для заказа 320 шт.
Добавить в корзину 320 шт. на сумму 32 000 руб.
Номенклатурный номер: 8001053819
Артикул: BCX52TA
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1000 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.5 mm
Длина 4.5 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25 at 5 mA, 2 V, 40 at 150 mA, 2 V, 25 at 500 m
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 25 at 5 mA, 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 150 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BCX52
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-89-3
Ширина 2.5 mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 310 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов