MOC207R2M

Фото 2/5 MOC207R2MФото 3/5 MOC207R2MФото 4/5 MOC207R2MФото 5/5 MOC207R2M
Фото 1/5 MOC207R2M
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003571369
Производитель: ON Semiconductor
59 руб.
3119 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 10 шт. — 44 руб.
от 30 шт. — 40 руб.
от 100 шт. — 37.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
66 руб. 3 дня, 760 шт. 1 шт. 1 шт.
от 50 шт. — 23 руб.
от 200 шт. — 22 руб.
от 350 шт. — 20.77 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги

Описание

SOIC 8/Single-Channel Phototransistor Output Optocoupler
Корпус SO-8

Технические параметры

Количество каналов 1
Напряжение изоляции (RMS), В 2500
Коэффициент передачи по току (Min), % 100
Коэффициент передачи по току (Max), % 200
Время включения (Typ), мкс 7.5
Время выключения (Typ), мкс 5.7
Тип входа DC
Тип выхода Транзистор с базой
Напряжение выхода, В 30
Выходной ток на канал, мА 150
Рабочая температура, °C -40…+100
Корпус SO-8 Tall
Количество каналов 1
Максимальный ток на входе 60 mA
Максимальный коэффициент передачи по току 200%
Типичное время нарастания 3.2мкс
Производитель ON Semiconductor
Тип корпуса SOIC
Напряжение изоляции 2,5 кВ (среднеквадратичное значение)
Количество контактов 8
Тип входного тока Пост. ток
Minimum Current Transfer Ratio 100 %
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Максимальное прямое напряжение 1.35V
Типичное время затухания 4.7мкс
Выходное устройство Транзистор
Выходной каскад симистор
Корпус SO-8

Дополнительная информация

Datasheet MOC207R2M

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.