DTA115EETL, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Single PNP, 50 В, 100 мА, 100 кОм, 100 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2740 шт., срок 8-10 недель
70 руб.
Мин. кол-во для заказа 40 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
34 руб.
Добавить в корзину 40 шт.
на сумму 2 800 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP 50V 20MA
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 82hFE |
| Power Dissipation | 150мВт |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Корпус РЧ Транзистора | SOT-723 |
| Линейка Продукции | DTA115E Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | -50В |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | -100мА |
| Полярность Транзистора | Single PNP |
| Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный PNP |
| Резистор База-эмиттер R2 | 100кОм |
| Резистор На входе Базы R1 | 100кОм |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-723 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.7 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Другие названия товара № | DTA115EE |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 82 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | DTA115EE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 100 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | EMT-3 |
| Ширина | 0.8 mm |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -50 V |
| Configuration | Single |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 82 |
| DC Current Gain HFE Max | 82 |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | EMT-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | DTA115EE |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Series | DTA115EE |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | PNP |
| Typical Input Resistor | 100 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
