KSC3503DSTU

KSC3503DSTU
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003572637
Производитель: ON Semiconductor
51 руб.
3331 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 10 шт. — 39 руб.
от 30 шт. — 36.30 руб.
от 100 шт. — 34 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
39 руб. 7 дней, 600 шт. 60 шт. 60 шт.
от 120 шт. — 20 руб.
33.10 руб. 3-5 недель, 334 шт. 1 шт. 100 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

The KSC3503DSTU is a NPN Epitaxial Silicon Transistor offers 300V low base voltage and 100A collector current. It is suitable for voltage amplifier, current source, CRT display and video output applications.

• High voltage
• 1.8pF at 30V VCB Low reverse transfer capacitance
• Excellent gain linearity for low THD
• 150MHz High frequency
• Complementary to KSC1381

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.6 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 1 MHz
Количество элементов на ИС 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1 V
Длина 8мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Maximum Collector Base Voltage 300 V
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 300 V
Package Type TO-126
Максимальное рассеяние мощности 7 W
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 3.25mm
Maximum DC Collector Current 100 mA
Transistor Type NPN
Height 11мм
Число контактов 3
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Размеры 8 x 3.25 x 11mm
Minimum DC Current Gain 40

Дополнительная информация

Datasheet KSC3503DSTU

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.