MMBT2907AG-AE3-R, 20nA 60V 350mW 100@150mA,10V 600mA 200MHz 1.6V@500mA,50mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
1720 шт., срок 7 недель
13 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
8 руб.
от 600 шт. —
6.10 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
60V 350mW 100@150mA,10V 600mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 20nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.6V@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 200MHz |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 240 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
