2SB649AD-C, 10uA 160V 1W 100@150mA,5V 1.5A 140MHz 1V@500mA,50mA PNP +150-@(Tj) TO-252 Bipolar Transistors - BJT
3490 шт., срок 7 недель
32 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
19 руб.
от 150 шт. —
16 руб.
от 500 шт. —
13.38 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
160V 1W 100@150mA,5V 1.5A PNP TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 10uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 140MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
| Manufacturer | Foshan Blue Rocket Elec |
| Maximum DC Collector Current | 1.5A |
| Package / Case | TO-252 |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Pd - Power Dissipation | 1W |
| Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet 2SB649AD-C
pdf, 900 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
