DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2466 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
148 руб.
от 10 шт.113 руб.
от 30 шт.106 руб.
от 100 шт.99.30 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 148 руб.
Номенклатурный номер: 8003601081
Производитель: Diodes Incorporated

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор МОП-транзисторBVDSS: 61V-100V

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 53.7A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 3.1W
Rds On - Drain-Source Resistance 17mО© @ 12A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 80V
Vgs - Gate-Source Voltage 3V @ 250uA
Id - непрерывный ток утечки 53.7 A
Pd - рассеивание мощности 83.3 W
Qg - заряд затвора 34 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 14 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 80 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 3.8 ns
Время спада 3.5 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 16.5 ns
Типичное время задержки при включении 4.9 ns
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок PowerDI5060-8

Техническая документация

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах