CJQ4459

39595 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
23 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.17 руб.
от 150 шт.15.60 руб.
от 500 шт.14.60 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 115 руб.
Номенклатурный номер: 8003606762

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 6.5A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 1.4W
Rds On - Drain-Source Resistance 46mО© @ 6.5A,10V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 2.4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet CJQ4459
pdf, 1628 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах