ZXTN25060BZTA, Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 5A

ZXTN25060BZTA, Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт.96 руб.
от 100 шт.71 руб.
от 500 шт.58.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Номенклатурный номер: 8005061260
Артикул: ZXTN25060BZTA
Бренд: DIODES INC.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V 5A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 4460 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.6 mm (Max)
Длина 4.6 mm (Max)
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 5 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 150 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 185 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия ZXTN25060
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-89-3
Ширина 2.6 mm (Max)
Collector-Emitter Breakdown Voltage 60V
Maximum DC Collector Current 5A
Pd - Power Dissipation 2.4W
Transistor Type NPN
Вес, г 0.052

Техническая документация

Datasheet ZXTN25060BZTA
pdf, 766 КБ
Datasheet ZXTN25060BZTA
pdf, 775 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов