IRF840PBF

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию



1665 шт., срок 5-7 недель
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 100 шт. —
117 руб.
от 500 шт. —
110.90 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 280 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Описание
IRF840PBF является N-канальным HEXFET® силовым МОП-транзистором 400В третьего поколения, который обеспечивает разработчика лучшим сочетанием быстрого переключения, прочностью исполнения и низкого сопротивления в активном состоянии. Корпус универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности до 50Вт.
• Динамический dV/dt
• Повторяющиеся лавинные характеристики
• Рабочая температура 175°C
• Простое параллельное подключение
• Требования простого привода
Технические параметры
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Product Category | Power MOSFET |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 8 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 850@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 63(Max)@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 63(Max) |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@25V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 |
Typical Fall Time (ns) | 20 |
Typical Rise Time (ns) | 23 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 49 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | TO-220AB |
Standard Package Name | TO-220 |
Military | No |
Mounting | Through Hole |
Package Height | 9.01(Max) |
Package Length | 10.51(Max) |
Package Width | 4.65(Max) |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Through Hole |
Transistor Mounting | Through Hole |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
Непрерывный Ток Стока | 8А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.85Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Техническая документация
Datasheet IRF840PBF
pdf, 281 КБ
IRF840 datasheet
pdf, 170 КБ
IRF840PBF Datasheet
pdf, 898 КБ
Datasheet IRF840
pdf, 148 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.