STP24N60M2

Фото 2/4 STP24N60M2Фото 3/4 STP24N60M2Фото 4/4 STP24N60M2
Фото 1/4 STP24N60M2
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
451 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
390 руб.
от 10 шт.295 руб.
от 30 шт.278 руб.
от 100 шт.260 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 390 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003628385
Производитель: ST Microelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics
Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным характеристикам выходной емкости серия MDmesh M2 идеально подходит для использования в импульсных источниках питания резонансного типа (LLC-преобразователи).

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 18A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 150W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 190mО© @ 9A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600V
Vgs - Gate-Source Voltage 4V @ 250uA
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 18 А
Тип корпуса TO-220
Максимальное рассеяние мощности 150 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.6мм
Высота 15.75мм
Размеры 10.4 x 4.6 x 15.75мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.4мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 14 ns
Производитель STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения 60 ns
Серия MDmesh M2
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 190 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 650 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 29 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1060 пФ при 10 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -25 В, +25 В
Id - непрерывный ток утечки 18 A
Pd - рассеивание мощности 150 W
Qg - заряд затвора 29 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 168 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 9 ns
Время спада 61 ns
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки при включении 14 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Base Product Number STP24 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 9A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series MDmeshв„ў II Plus ->
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Brand stmicroelectronics
Конфигурация транзистора одинарный
Максимальное пороговое напряжение включения 4v
Минимальное пороговое напряжение включения 2v
Страна происхождения cn

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1538 КБ
Datasheet STP24N60M2
pdf, 1571 КБ
Datasheet
pdf, 1556 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах