EMZ1T2R

Фото 2/2 EMZ1T2R
Фото 1/2 EMZ1T2R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
17770 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
14 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.9.70 руб.
от 150 шт.9 руб.
от 500 шт.8.40 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 140 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003653397
Производитель: Rohm

Описание

Electromechanical\Hardware
Биполярные транзисторы - BJT NPN/PNP 50V 150MA

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.5 mm
Длина 1.6 mm
Другие названия товара № EMZ1
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 120
Конфигурация Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 560
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.15 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V, 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) + 7 V, - 6 V
Непрерывный коллекторный ток + 150 mA / - 150 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 140 MHz, 180 MHz
Размер фабричной упаковки 8000
Серия EMZ1
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок EMT-6
Ширина 1.2 mm

Техническая документация

Datasheet EMZ1T2R
pdf, 2924 КБ
Datasheet EMZ1T2R
pdf, 2917 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах