L2SC4083PWT1G, 500nA 11V 150mW 50mA 3.2GHz 500mV@10mA,5mA NPN +150-@(Tj) SC-70 Bipolar Transistors - BJT
2120 шт., срок 7 недель
12 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
8 руб.
от 600 шт. —
5.70 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 240 руб.
Описание
11V 150mW 50mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 50mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 11V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@10mA, 5mA |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 3.2GHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 11V |
| Maximum DC Collector Current | 50mA |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet L2SC4083PWT1G
pdf, 170 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
