LBC856ALT1G, 15nA 65V 225mW 180@2mA,5V 100mA 100MHz 650mV@100mA,5mA PNP -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
7950 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
от 3000 шт. —
2.80 руб.
от 6000 шт. —
2.36 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
65V 225mW 180@2mA,5V 100mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 65V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 650mV@100mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 180@2mA, 5V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 65V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 225mW |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet LBC856ALT1G
pdf, 234 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
