AO4838
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
120 руб.
от 10 шт. —
92 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 340 руб.
Номенклатурный номер: 8003750266
Бренд: Alpha & Omega
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой AO4838 от производителя ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR - это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. С его помощью можно эффективно управлять током до 9А и напряжением до 30В, при этом мощность транзистора составляет 1,3Вт. Одной из ключевых характеристик является низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,0096Ом, что обеспечивает высокую эффективность и минимизацию потерь мощности. Устройство заключено в компактный корпус SO8, что делает его идеальным выбором для использования в различных электронных схемах и устройствах где требуется экономия пространства. Воспользуйтесь AO4838 для повышения надежности и производительности ваших проектов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 9 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Мощность, Вт | 1.3 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0096 |
| Корпус | SO8 |
Технические параметры
| Automotive | Unknown |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 11 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 9.6@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Pin Count | 8 |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOIC |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 18 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 18@10VI8@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1080@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 11A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 9.6mΩ@11A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.6V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.3nF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@10V |
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.13 |
Техническая документация
Документация
pdf, 598 КБ
