IRFZ44VZ

Фото 1/2 IRFZ44VZ
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
560 руб.
от 2 шт.490 руб.
от 5 шт.442 руб.
от 10 шт.425 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 560 руб.
Номенклатурный номер: 8003847237
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

МОП-транзистор MOSFT 60V 57A 12mOhm 43nC

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 57 A
Pd - рассеивание мощности 92 W
Qg - заряд затвора 65 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 12 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.8 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 15.65 mm
Длина 10 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.4 mm
Base Product Number IRFZ44 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 57A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1690pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 92W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 34A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA

Техническая документация

Datasheet
pdf, 381 КБ
Datasheet
pdf, 373 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов