2N5551, 50nA 160V 625mW 600mA 100MHz 200mV@50mA,5mA NPN +150-@(Tj) TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT
1940 шт., срок 7 недель
10 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
7 руб.
от 600 шт. —
5.10 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
160V 625mW 165@10mA,5V 600mA SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 150@10mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 0.28 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1322 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
