IRLR7843
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1563 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
450 руб.
от 2 шт. —
340 руб.
от 5 шт. —
270 руб.
от 10 шт. —
244.44 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 450 руб.
Номенклатурный номер: 8004067316
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 30V, 161A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:161A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.3
Технические параметры
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 161A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Family | FETs-Single |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4380pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Online Catalog | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Other Names | *IRLR7843TRPBFIRLR7843PBFCT |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| PCN Assembly/Origin | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 |
| Power - Max | 140W |
| Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 15A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Standard Package | 1 |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
IRLR7843PBF datasheet
pdf, 229 КБ
Документация
pdf, 375 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
