Транзистор биполярный SI7913DN-T1-GE3

Фото 2/4 Транзистор биполярный SI7913DN-T1-GE3Фото 3/4 Транзистор биполярный SI7913DN-T1-GE3Фото 4/4 Транзистор биполярный SI7913DN-T1-GE3
Фото 1/4 Транзистор биполярный SI7913DN-T1-GE3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
67 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 67 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8004208500
Артикул: SI7913DN-T1-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)
МОП-транзистор -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Lead Shape No Lead
Package Height 1.07(Max)
Package Width 3.05
Package Length 3.05
Mounting Surface Mount
PCB changed 8
Product Category Power MOSFET
Process Technology TrenchFET
Configuration Dual Dual Drain
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Number of Elements per Chip 2
Maximum Drain Source Voltage (V) 20
Maximum Gate Source Voltage (V) ±8
Maximum Continuous Drain Current (A) 5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 37@4.5V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 15.3@4.5V
Maximum Power Dissipation (mW) 1300
Typical Fall Time (ns) 150
Typical Rise Time (ns) 70
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 72
Typical Turn-On Delay Time (ns) 20
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Supplier Package PowerPAK 1212
Pin Count 8
Standard Package Name PowerPAK 1212
Military No
Id - непрерывный ток утечки 7.4 A
Pd - рассеивание мощности 2.8 W
Qg - заряд затвора 24 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 37 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток 8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.04 mm
Длина 3.3 mm
Другие названия товара № SI7913DN-GE3
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Коммерческое обозначение TrenchFET
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SI7
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка / блок PowerPAK-1212-8
Ширина 3.3 mm
Transistor Mounting Surface Mount
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции Trench Series
Напряжение Измерения Rds(on) 1.8В
Напряжение Истока-стока Vds 20В
Непрерывный Ток Стока 7.4А
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 1.3Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.066Ом
Стиль Корпуса Транзистора PowerPAK 1212

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах