SI7913DN-T1-GE3, MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
157 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 510 000 руб.
Описание
МОП-транзистор -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Lead Shape | No Lead |
| Package Height | 1.07(Max) |
| Package Width | 3.05 |
| Package Length | 3.05 |
| Mounting | Surface Mount |
| PCB changed | 8 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Process Technology | TrenchFET |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 37@4.5V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 15.3@4.5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1300 |
| Typical Fall Time (ns) | 150 |
| Typical Rise Time (ns) | 70 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 72 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Supplier Package | PowerPAK 1212 |
| Pin Count | 8 |
| Standard Package Name | PowerPAK 1212 |
| Military | No |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.8 W |
| Qg - заряд затвора | 24 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 37 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.04 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Другие названия товара № | SI7913DN-GE3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI7 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Ширина | 3.3 mm |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.066Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.066Ом |
| Power Dissipation N Channel | 1.3Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.3Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | Trench Series |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 7.4А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 7.4А |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
