Транзистор IRF640NPBF

Фото 2/8 Транзистор IRF640NPBFФото 3/8 Транзистор IRF640NPBFФото 4/8 Транзистор IRF640NPBFФото 5/8 Транзистор IRF640NPBFФото 6/8 Транзистор IRF640NPBFФото 7/8 Транзистор IRF640NPBFФото 8/8 Транзистор IRF640NPBF
Фото 1/8 Транзистор IRF640NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
67 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 67 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004208614
Артикул: IRF640NPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Транзисторы\Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
MOSFET, N, 200V, 18A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 18A Resistance, Rds On 0.15ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 72A No. of Pins 3 Power Dissipation 150W Power, Pd 150W Thermal Resistance, Junction to Case A 1°C/W Voltage, Vds Max 200V Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 18 А
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 150 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Высота 8.77мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 10 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 23 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 0,15 Ω
Максимальное напряжение сток-исток 200 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 67 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1160 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 150
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Крутизна характеристики S,А/В 6.8
Температура, С -55...+175
Корпус TO220AB
Id - непрерывный ток утечки 18 A
Pd - рассеивание мощности 150 W
Qg - заряд затвора 44.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 150 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 19 ns
Время спада 5.5 ns
Длина 10 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 6.8 S
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки при включении 10 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.4 mm
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 18A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 150W
Rds On - Drain-Source Resistance 150mО© @ 11A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 200V
Vgs - Gate-Source Voltage 4V @ 250uA

Техническая документация

IRF640N Datasheet
pdf, 243 КБ
Datasheet
pdf, 337 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах