Транзистор BC858CLT1G

Фото 2/6 Транзистор BC858CLT1GФото 3/6 Транзистор BC858CLT1GФото 4/6 Транзистор BC858CLT1GФото 5/6 Транзистор BC858CLT1GФото 6/6 Транзистор BC858CLT1G
Фото 1/6 Транзистор BC858CLT1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
205 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
0.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 200 шт.
Добавить в корзину 200 шт. на сумму 160 руб.
Посмотреть альтернативные предложения5
Посмотреть аналоги10
Номенклатурный номер: 8004214510
Артикул: BC858CLT1G
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)

BC858CLT1G - это биполярный транзистор общего назначения PNP, предназначенный для использования в линейных и коммутационных приложениях. Устройство размещено в корпусе, предназначенном для поверхностного монтажа с низким энергопотреблением.

• Соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживает PPAP

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage -0.65 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage -0.9 V
Length 3.04мм
Maximum Collector Base Voltage -30 V
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage -30 V
Package Type SOT-23
Maximum Power Dissipation 300 мВт
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 1.4мм
Maximum DC Collector Current 100 (Continuous) mA, 200 (Peak) mA
Transistor Type PNP
Высота 1.01mm
Pin Count 3
Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Automotive Standard AEC-Q101
Maximum Emitter Base Voltage -30 V
Transistor Material Кремний
Minimum DC Current Gain 420
Pd - рассеивание мощности 225 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Длина 2.9 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 420
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BC858CL
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Base Product Number BC858 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 300mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V

Техническая документация

BC856-860
pdf, 62 КБ
Datasheet
pdf, 148 КБ
Datasheet
pdf, 215 КБ
Datasheet
pdf, 209 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах