BD13616S, Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

200 руб.

от 10 шт. — 170 руб.

от 100 шт. — 112 руб.

от 500 шт. — 90.18 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.

Номенклатурный номер: 8004584429

Артикул: BD13616S

Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil

Pd - рассеивание мощности:	12.5 W
Вид монтажа:	Through Hole
Высота:	11 mm
Длина:	8 mm
Другие названия товара №:	BD13616S_NL
Категория продукта:	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):	40
Конфигурация:	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:	250
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора:	1.5 A
Минимальная рабочая температура:	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO):	- 45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	- 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	- 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO):	- 5 V
Непрерывный коллекторный ток:	- 1.5 A
Подкатегория:	Transistors
Полярность транзистора:	PNP
Производитель:	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки:	2000
Серия:	BD136
Технология:	Si
Тип продукта:	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка:	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок:	TO-126-3
Упаковка:	Bulk
Ширина:	3.25 mm
Вес, г	0.761

pdf, 308 КБ

Мы рекомендуем