DCP55-16-13

DCP55-16-13
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
564 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
66 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.54 руб.
от 100 шт.38 руб.
от 500 шт.30.89 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 132 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004701605
Производитель: Diodes Incorporated

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности: 3 W
Вид монтажа: SMD/SMT
Категория продукта: Биполярные транзисторы-BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 25
Конфигурация: Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 250
Максимальная рабочая температура: +150 C
Максимальный постоянный ток коллектора: 1.5 A
Минимальная рабочая температура: -55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V
Непрерывный коллекторный ток: 1 A
Подкатегория: Transistors
Полярность транзистора: PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 200 MHz
Производитель: Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: 2500
Серия: DCP55
Технология: Si
Тип продукта: BJTs-Bipolar Transistors
Торговая марка: Diodes Incorporated
Упаковка / блок: SOT-223-4
Упаковка: Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес, г 0.11

Техническая документация

Datasheet DCP55-16-13
pdf, 145 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах