DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
142 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
190 руб.
от 10 шт.180 руб.
от 75 шт.132 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.
Номенклатурный номер: 8004701660
Производитель: Diodes Incorporated

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 501V-650V

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 5.5 A
Pd - рассеивание мощности 125 W
Qg - заряд затвора 25 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 11 ns
Время спада 15 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 75
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 36 ns
Типичное время задержки при включении 10 ns
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-251-3
Вес, г 0.34

Техническая документация

Datasheet DMG7N65SJ3
pdf, 598 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах