DMT3020LDV-13, MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 100 шт. —
100 руб.
от 500 шт. —
75.72 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Полевые МОП-транзисторы DMTx Diodes Incorporated МОП-транзисторы DMTx представляют собой N-канальные полевые МОП-транзисторы с низким сопротивлением в открытом состоянии и быстрым переключением. Эти полевые МОП-транзисторы также разработаны с учетом строгих требований автомобильных приложений. Diodes Incorporated DMTx MOSFET идеально подходят для высокоэффективных приложений управления питанием.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 2.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 32 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | PowerDI3333-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.9 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms |
| Rise Time: | 1.9 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 7.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet DMT3020LDV-13
pdf, 418 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
