DMTH4007SK3-13

DMTH4007SK3-13
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2478 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
190 руб.
от 10 шт.170 руб.
от 100 шт.132 руб.
от 500 шт.108.85 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.
Номенклатурный номер: 8004701734
Производитель: Diodes Incorporated

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 31V-40V

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 80 A
Pd - рассеивание мощности 59 W
Qg - заряд затвора 41.9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Серия DMTH4007
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок TO-252-3
Вес, г 0.34

Техническая документация

Datasheet DMTH4007SK3-13
pdf, 328 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах