BSB015N04NX3 G

BSB015N04NX3 G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
307 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
600 руб.
от 10 шт.540 руб.
от 100 шт.440 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 600 руб.
Номенклатурный номер: 8004723035
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 35 A
Pd - рассеивание мощности 2.8 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 6.4 ns
Время спада 7.6 ns
Высота 0.7 mm
Длина 6.35 mm
Другие названия товара № BSB015N04NX3GXUMA1 BSB15N4NX3GXT SP000597852
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение OptiMOS
Конфигурация Single Quad Drain Triple Source
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 40 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 5000
Серия OptiMOS 3
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 36 ns
Типичное время задержки при включении 23 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок WDSON-2-3
Ширина 5.05 mm

Техническая документация

Datasheet BSB015N04NX3 G
pdf, 1507 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах