IPB60R060P7ATMA1

Фото 2/2 IPB60R060P7ATMA1
Фото 1/2 IPB60R060P7ATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
59 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
1 280 руб.
от 10 шт.1 150 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 280 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004723264
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 48 A
Pd - рассеивание мощности 164 W
Qg - заряд затвора 67 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 49 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 12 ns
Время спада 4 ns
Другие названия товара № IPB60R060P7 SP001664882
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 79 ns
Типичное время задержки при включении 23 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок TO-263-3

Техническая документация

Datasheet IPB60R060P7ATMA1
pdf, 1172 КБ
Datasheet IPB60R060P7ATMA1
pdf, 1307 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах