RN4605(TE85L,F), Digital Transistors Gen Trans PNP x 2 SM6, -50V, -100A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 шт., срок 7-9 недель
150 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
Встроенные транзисторы с резистором смещения (BRT)Встроенные транзисторы с резистором смещения (BRT) Toshiba предлагают широкий диапазон вариантов полярности. Транзисторы резистора смещения доступны с полярностью NPN, PNP, NPN PNP, PNP NPN, NPN x 2 и PNP x 2. Встроенные транзисторы резистора смещения предлагают 3-контактные, 5-контактные и 6-контактные конфигурации с вариантами одиночного, 2-в-1 (точечно-симметричного) и 2-в-1 (с общим эмиттером) внутренних соединений. .
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Configuration: | Dual |
Continuous Collector Current: | 100 mA |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 80 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Frequency: | 250 MHz |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package/Case: | SM-6 |
Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
Peak DC Collector Current: | 100 mA |
Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Series: | RN4605 |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN, PNP |
Typical Input Resistor: | 2.2 kOhms |
Typical Resistor Ratio: | 0.0468 |
Вес, г | 0.02 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.