TK110E10PL,S1X

TK110E10PL,S1X
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
230 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 230 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004726886
Производитель: Toshiba

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор TO-220 PD=87W 1MHz PWR МОП-транзистор TRNS

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 42 A
Pd - рассеивание мощности 87 W
Qg - заряд затвора 33 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 16 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 6 ns
Время спада 9 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение U-MOSIX-H
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 50
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 43 ns
Типичное время задержки при включении 20 ns
Торговая марка Toshiba
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Base Product Number TLP781 ->
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Package Tube
Series *
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet TK110E10PL.S1X
pdf, 662 КБ
Datasheet TK110E10PL,S1X
pdf, 571 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах