TK3R9E10PL,S1X

TK3R9E10PL,S1X
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
390 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 390 руб.
Номенклатурный номер: 8004726900
Производитель: Toshiba

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор TO-220 PD=230W 1MHz PWR МОП-транзистор TRNS

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 100 A
Pd - рассеивание мощности 230 W
Qg - заряд затвора 96 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 5.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 14 ns
Время спада 22 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение U-MOSIX-H
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 50
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 88 ns
Типичное время задержки при включении 35 ns
Торговая марка Toshiba
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet TK3R9E10PL.S1X
pdf, 715 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах