BC846S,125

Фото 2/2 BC846S,125
Фото 1/2 BC846S,125
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1169 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
39 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.32 руб.
от 100 шт.18 руб.
от 500 шт.10.81 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 117 руб.
Номенклатурный номер: 8004727414
Производитель: Nexperia

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT Dual NPN 65V 100mA 200mW 100MHz

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-363-6
Base Product Number BC846 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max 300mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 6-TSSOP
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Вес, г 0.006

Техническая документация

Datasheet
pdf, 185 КБ
Datasheet
pdf, 384 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах